现在的SSD虽然可以通过堆叠Die层数来增大单颗粒容量，但随着层数越多，所需要的硅穿孔数目越多，制造难度直线上升，不仅良品率无法保证，生产成本也高，一些拥有深厚技术的存储厂商早就开始探索新一代非易失性存储器了。除了Intel那个未知原理的3D XPoint闪存以外，还有大热的ReRAM，这是一种以电阻值来记录数据的非易失性存储器，具有单位面积容量大、读写速度快的特性，而对此研究了好些年的Mobiveil将会联合Crossbar推出基于ReRAM技术的SSD，为存储市场增添新活力。
ReRAM其实就是一种忆阻器模型，是一种能够描述电荷和磁通之间关系的全新元件，也是一种具有记忆功能的非线性电阻，不仅可以记忆流经自身的电荷数量，也可以通过控制激励源的电流或者磁通来改变自身的阻值大小，并且这种阻值变化可以在断电下继续保存相当长的一段时间。
单一忆阻器其实就是一个长条形的器件，拥有三层结构，包含有上下电极和中间的开关层，通过电极施加不同的电压值就能改变中间的特殊结构的电阻值，从而达到存储数据的功能（电阻值代表0/1或者是更多位数据）。其稳定性非常好，具备了普通闪存颗粒不具备的超宽温度耐受值，-40-125℃。一百万次读写周期后，在85℃下数据可以保持10年不消失。
而且这种长条形结构可以很容易地组建成大规模阵列，简单的结构使得存储容量、密度远超现有的闪存技术，轻松实现TB存储颗粒。
这玩意结构是不是超像Intel的3D XPoint？另外由于其结构简单，它的主控开发也变得异常简单，现有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地适应ReRAM架构。
不过Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革现有SSD的命，因为短期内它还不是民用消费级，而是面向商业应用方案。目前来看ReRAM SSD虽然性能指标一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更为昂贵。
