根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
SLC写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在10万次以上；
MLC寿命长，造价可接受，读写次数在5000左右；
TLC，是MLC闪存延伸，存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低， 使命寿命低，读写次数在1000~2000左右，是当下主流厂商首选闪存颗粒。
3D NAND（多层数存储），是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。目前64层3D NAND已经问世，价格较高。
具体品牌参照以上的闪存颗粒类型，相互对比后选性价比吧。
