4月26日消息 根据外媒报道，SK海力士透露，公司将增加其第一代10纳米级制造工艺（即1X nm）的DRAM产量，并将在下半年开始销售其制造的第二代10纳米级制造技术（又名1Y nm）的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出，最终降低成本，并为下一代内存做准备。
使用SK海力士1Y nm生产技术制造的首批产品将是其8 Gb DDR4-3200内存芯片。该制造商表示，与使用其1X nm制造技术制造的类似器件相比，新工艺使其能够将8 Gb DDR4器件的芯片尺寸缩小20％，并将其功耗降低15％。此外，SK海力士即将推出的8 Gb DDR4-3200芯片具有两项重要改进：4相时钟方案以及Sense放大器控制技术。
虽然这些技术即使在今年对于DDR4也很重要，但据报道，SK海力士将使用其1Y nm制造工艺制造DDR5，LPDDR5和GDDR6 DRAM。因此，海力士必须尽快提升其第二代10纳米级制造技术，为未来做好准备。
